SiC 파워반도체

  • Synthesized SiC by Acheson method
  • Sintered SiC - Heating tube
  • Sintered SiC - plate
  • SiC abrasive paper
  • SiC green powder
  • SiC dummy wafers
  • SiC single (semiconductor) wafers for device

반도체 구분

파워반도체와 메모리반도체 비교

파워반도체는 다품종 생산의 메모리반도체 대비 절대강자 없는 구조로 국내 전반적인 경쟁력 취약

구분 기능 및 역활 시장현황
근육 파워반도체 높은 전압, 큰전류를 제어해 필요한 전력을 정확하고 안정적으로 공급하는 반도체
(예 : 전동기 구동)		 세계시장 약344억$
다품종 생산 품목
해외기업 선도
(세계 20위권 내 국적기업 없음)
뇌 메모리반도체(DRAM) 디지털 신호로 정보를 저장하는 반도체
(예: PC나 스마트폰 저장장치)		 세계시장 약1,302억$
소품종 대량 품목
국내기업 선도
(삼성, sk하이닉스가 62% 점유)
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Si 와 SiC 비교

[ Si vs SiC 물성비교 ]
[ Si FRD vs SiC SBD 스위칭 손실 비교 ]
Si vs SiC 물성 비교 표
구분 Si SiC 이득
Band gap[eV] 1.1 3.2 고온동작
Maximum junction temperature[℃] 80 200 고온동작
Critical electric field[MV/cm] 0.3 3.5 고전압동작
Saturation velocity[m/s] 10x10 2.7x10 고속 스위칭 동작
Thermal conductivity[W/㎠·K] 1.5 4.9 고온 은용분야 적용
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SiC 파워반도체란?

SiC 파워반도체의 장점은 High Voltage 및 Compact Size가 동시에 구현되는 전력반도체 시장 추세에 매우 적합한 반도체이며 수직구조 구현(Trench Gate)이 가능하며, 고내압/고내열 특성이 있어 Device 소형화 및 Package 경량화에 최적의 반도체이다.

차세대 파워반도체(SiC) 경쟁력

기존 Si 반도체 대비 SiC 반도체 강점

  • 3배넓은 에너지 밴드
  • 1/100전력손실
  • 10배내전압 향상
  • 10배고주파 동작

SiC 파워반도체 주요적용영역

※ 실리콘(Si; silicon), 탄화규소(SiC; silicon carbide), 질화갈륨(GaN; gallium nitride)