功率半导体与多品种生产的存储半导体相比,没有绝对强者,国内整体竞争力较弱
区分 | 机能及反活 | 市场现状 | |
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肌肉 | 功率半导体 | 控制高电压,大电流,正确,稳定地提供必要的电力的半导体 (预示 : 驱动电动机) |
世界市场约344亿$ 多品种生产产品 海外企业先导 (世界排名前20位的没有国籍企业) |
脑 | 存储半导体(DRAM) | 用数字信号储存信息的半导体 (例子:电脑或智能手机储存装置) |
世界市场约1302亿$ 小品种大量商品 国内企业先导 (三星占据sk海力士62%) |
区分 | Si | SiC | 增益 |
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Band gap[eV] | 1.1 | 3.2 | 高温动作 |
Maximum junction temperature[℃] | 80 | 200 | 高温动作 |
Critical electric field[MV/cm] | 0.3 | 3.5 | 古典压动作 |
Saturation velocity[m/s] | 10x10 | 2.7x10 | 高速滑行动作 |
Thermal conductivity[W/㎠·K] | 1.5 | 4.9 | 适用于高温银用领域 |
SiC 功率半导体的优点是同时体现高压及 小型尺寸的电力半导体市场趋势,可实现垂直结构(堑壕).
与现有Si半导体相比,SiC半导体的优势