由艾奇逊法合成的SiC
烧结 碳化硅
加热管板
碳化硅砂纸
碳化硅绿色粉末
碳化硅假晶片
碳化硅 单(半导体)晶片用于器件
功率半导体与多品种生产的存储半导体相比,没有绝对强者,国内整体竞争力较弱
| 区分 | 机能及反活 | 市场现状 | |
|---|---|---|---|
肌肉 |
功率半导体 |
控制高电压,大电流,正确,稳定地提供必要的电力的半导体 (预示 : 驱动电动机) |
世界市场约344亿$ 多品种生产产品 海外企业先导 (世界排名前20位的没有国籍企业) |
脑 |
存储半导体(DRAM) |
用数字信号储存信息的半导体 (例子:电脑或智能手机储存装置) |
世界市场约1302亿$ 小品种大量商品 国内企业先导 (三星占据sk海力士62%) |
[ Si vs SiC 物性比较 ]
[ Si FRD vs SiC SBD 交换损失比较 ]
| 区分 | Si | SiC | 增益 |
|---|---|---|---|
| Band gap[eV] | 1.1 | 3.2 | 高温动作 |
| Maximum junction temperature[℃] | 80 | 200 | 高温动作 |
| Critical electric field[MV/cm] | 0.3 | 3.5 | 古典压动作 |
| Saturation velocity[m/s] | 10x10 | 2.7x10 | 高速滑行动作 |
| Thermal conductivity[W/㎠·K] | 1.5 | 4.9 | 适用于高温银用领域 |
SiC 功率半导体的优点是同时体现高压及 小型尺寸的电力半导体市场趋势,可实现垂直结构(堑壕).
与现有Si半导体相比,SiC半导体的优势
3倍宽阔的能源带
1/100电力损失
10倍提高内战压力
10倍高频动作
※ 硅(SI;硅),碳化硅(碳化硅。碳化硅),氮化镓(氮化镓,氮化镓)